Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP30NF20, 200В, 19А, TO220-3 — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP30NF20 — це уніполярний прилад із каналом збагачення, розроблений за технологією STripFET™. Компонент розрахований на напругу 200 В та струм 19 А, з параметрами, характерними для силових транзисторів.## Комплектація

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 200 В
• Постійний струм стіка: 19 А
• Розсіювана потужність: 125 Вт
• Опір у відкритому стані: 75 мОм
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Комплектація: 10 штук

Електричні характеристики

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 200 В та постійний струм стіка 19 А. Опір у відкритому стані становить 75 мОм, що зменшує втрати потужності. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 125 Вт. Напруга затвор-витік обмежена значенням ±20 В. Тип транзистора — N-MOSFET з каналом збагачення.

Корпус та монтаж

У комплекті постачається 10 транзисторів. Компонент виконаний у корпусі TO220-3. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори (THT).

Виробник та технологія

Виріб виготовлений за технологією STripFET™ від STMicroelectronics. Ця технологія є власною розробкою виробника. Виробник компонента — STMicroelectronics.