Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP30NF10, 100В, 25А, TO220-3 — набір 10 шт.
2 240 ₴
- В наявності
- Код: TM078831
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP30NF10, 100В, 25А, TO220-3 — набір 10 шт.В наявності
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP30NF10 — це силовий напівпровідниковий прилад технології STripFET™ II у корпусі TO220-3. Характеризується напругою до 100 В та струмом до 25 А.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 25 А
- Потужність розсіювання: 115 Вт
- Опір у стані провідності: 45 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплект: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 25 А. Потужність розсіювання становить 115 Вт. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 45 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з монтажем THT (сквозной монтаж).
Комплектація
Увага: товар постачається набором із 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 25 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 45 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFET™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 240 ₴