Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP26NM60N, 600В, 12,6А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP26NM60N — це уніполярний напівпровідниковий прилад із технологією MDmesh™ II,. Комплект складається з 5 елементів у корпусі TO220-3, що забезпечує зручність для масового монтажу та заміни компонентів.

• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 12,6 А
• Опір у стані провідності: 135 мОм
• Розсіювана потужність: 140 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Технологія: MDmesh™ II
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела до 600 В та максимальний струм дрена 12,6 А.

Технологія MDmesh™ II

Використання технології MDmesh™ II забезпечує низький опір у стані провідності, який становить 135 мОм. Це зменшує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальну ефективність пристрою.

Зручний монтаж THT

Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з типом монтажу THT (скрізь отвори). Таке виконання спрощує процес пайки на друковані плати та забезпечує надійний механічний контакт, що є важливим для промислового обладнання.

Теплові характеристики

Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 140 Вт.

Комплектація

У пакеті постачання міститься 5 транзисторів STP26NM60N.