
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP25N80K5, 800В, 12.3А, TO220-3 (5 шт.)
2 380 ₴
- В наявності
- Код: TM078830
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP25N80K5 — це уніполярний польовий транзистор з технологією MDmesh™ K5, призначений для роботи з напругою до 800 В. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга стік-витік: 800 В
- Струм стіка: 12,3 А (постійний), 78 А (імпульсний)
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ K5
- Комплектація: 5 шт.
Напруга та струм
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 800 В та постійний струм стіка 12,3 А. У імпульсному режимі струм стіка може досягати 78 А.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений за технологією MDmesh™ K5. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 0,26 Ом. Максимальна напруга затвор-витік становить ±30 В, а заряд затвора — 40 нКл. Монтаж здійснюється методом THT (скрізь отвори) у корпусі TO220-3. Максимальна розсіювана потужність становить 250 Вт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 260 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ K5 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 380 ₴
