Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP24NF10, 100В, 18А, TO220-3 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP24NF10 — це уніполярний прилад із каналом збагачення, розроблений за технологією STripFET™ II. Комплект із 20 штук у корпусі TO220-3 підходить для монтажу на плату (THT) у пристроях із навантаженням до 100 В та струмом до 18 А.

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Технологія: STripFET™ II
• Максимальна напруга: 100 В
• Струм витоку: 18 А
• Потужність розсіювання: 85 Вт
• Опір у стані провідності: 60 мОм
• Корпус: TO220-3 (THT монтаж)
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Висока потужність розсіювання

Транзистор здатен розсіювати потужність до 85 Вт, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах без надмірного перегріву. Це важливо для стабільної роботи обладнання при тривалих навантаженнях.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить 60 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Така характеристика підвищує загальний ККД електронного пристрою.

Надійна ізоляція та керування

Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 100 В, а напруга на затворі може досягати ±20 В. Це забезпечує гнучкість у підборі драйверів керування та захист від перенапруги.

Зручний монтаж та комплектація

Компоненти виконані у стандартному корпусі TO220-3 для вивідного монтажу (THT), що спрощує пайку та заміну. У пакуванні міститься 20 транзисторів, що вигідно для серійного виробництва або ремонтних майстерень.