Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60, 600В, 12,6А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM60 — це напівпровідниковий компонент для силових електронних схем. Модель виконана у корпусі TO220-3 із технологією MDmesh™ та призначена для роботи з напругою до 600 В.

• Напруга дрена-джерела 600 В
• Постійний струм дрена 12,6 А
• Імпульсний струм дрена 80 А
• Розсіювана потужність 192 Вт
• Корпус TO220-3, монтаж THT
• Технологія MDmesh™
• Опір у стані провідності 0,29 Ом
• Комплект: 5 штук

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 12,6 А. Ці характеристики роблять компонент придатним для застосування в силових електронних схемах.

Імпульсна потужність

Прилад витримує імпульсний струм дрена до 80 А та має розсіювану потужність 192 Вт. Такі характеристики забезпечують стабільну роботу в режимах короткочасних пікових навантажень, що типово для комутаційних схем.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з технологією монтажу THT (скрізь отвори). Це спрощує пайку на друковані плати.

Технічні особливості

Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±30 В, а опір у стані провідності дорівнює 0,29 Ом. Заряд затвора становить 54 нКл.

Транзистор STP20NM60 призначений для застосування в силових пристроях. Комплект із 5 штук.