Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM50FD, 500В, 14А, TO220-3 (5 шт.)
2 140 ₴
- В наявності
- Код: TM078827
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM50FD, 500В, 14А, TO220-3 (5 шт.)В наявності
2 140 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM50FD — це уніполярний прилад з каналом збагачення, розроблений за технологією FDmesh™. Комплект складається з 5 елементів у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 500 В
- Струм дрена: 14 А (постійний), 80 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 192 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 500 В та постійний струм дрена 14 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 80 А. Максимальна розсіювана потужність становить 192 Вт, а опір у стані провідності — 0,25 Ом.
Технологія FDmesh™
Виробник STMicroelectronics застосовує технологію FDmesh™. Заряд затвора становить 53 нКл. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В.
Монтаж та корпус
Елементи виконані у стандартному корпусі TO220-3, призначеному для вивідного монтажу (THT). Монтаж виконується у отвори друкованої плати (THT).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 192 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 14 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 250 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | FDmesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 140 ₴