Транзистор STMicroelectronics STP20NM50, N-MOSFET, 550 В, 20 А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор STMicroelectronics STP20NM50 — це польовий N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу стік-витік 550 В та струм стоку 20 А. Прилад виготовлений за технологією MDmesh™ у корпусі TO220-3 для монтажу у отвори.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 550 В
• Максимальний струм стоку: 20 А
• Потужність розсіювання: 192 Вт
• Опір у відкритому стані: 250 мОм
• Корпус: TO220-3, монтаж у отвори
• Технологія: MDmesh™
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 550 В, а максимально допустимий струм стоку — 20 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 250 мОм, що визначає втрати потужності при проходженні струму. Максимальна потужність розсіювання транзистора — 192 Вт. Напруга затвор-витік обмежена значенням 30 В.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі TO220-3, що передбачає вставний тип монтажу (THT). Виробник застосовує технологію MDmesh™. Поляризація транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачений.

Комплектація та ідентифікація

У комплекті поставляється 10 шт. транзисторів. Символ виробника — STP20NM50.