Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM50, 550В, 20А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20NM50 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи у схемах підвищеної потужності. Модель виконана у корпусі TO220-3 та реалізується комплектом із 10 штук, що зручно для серійного монтажу та прототипування.

• Набір із 10 транзисторів для серійного виробництва
• Максимальна напруга дрена-джерела 550 В
• Струм дрена 20 А для потужних навантажень
• Потужність розсіювання 192 Вт
• Опір у стані провідності 0,25 Ом
• Корпус TO220-3 для вивідного монтажу (THT)

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 550 В та постійний струм дрена 20 А. Такі параметри дозволяють використовувати компонент у силових ключах, де необхідна надійна ізоляція та комутація значних навантажень без перегріву.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна потужність розсіювання становить 192 Вт. Це забезпечує стабільну роботу пристрою під час тривалих навантажень, особливо при використанні радіаторів охолодження, що є критичним для промислового обладнання.

Технологія MDmesh™

Компонент виготовлений за технологією MDmesh™, що оптимізує структуру кристала для зниження втрат. Низький опір у стані провідності 0,25 Ом сприяє підвищенню ККД схеми та зменшенню нагрівання транзистора під час роботи.

Зручний монтаж THT

Транзистор призначений для вивідного монтажу (THT) у корпусі TO220-3. Таке виконання полегшує ручну пайку та ремонт плат, а також забезпечує механічну міцність з'єднання у пристроях, що працюють у вібраційних умовах.

Надійність керування затвором

Допустима напруга затвор-джерело становить ±30 В. Це надає інженерам запас міцності при виборі драйверів затвора та захисту від імпульсних перенапруг у керуючих ланцюгах.