Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20N95K5, 950В, 11А, TO220-3 (5 шт.)

3 030 ₴

  • В наявності
  • Код: TM020918
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20N95K5, 950В, 11А, TO220-3 (5 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20N95K5, 950В, 11А, TO220-3 (5 шт.)В наявності
3 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP20N95K5 — це уніполярний компонент із технологією SuperMESH5™, призначений для роботи з високою напругою до 950 В. Комплект складається з 5 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.

  • Напруга дрена-джерела 950 В для високовольтних застосувань
  • Постійний струм дрена 11 А та імпульсний до 70 А
  • Технологія SuperMESH5™ із опором провідності 0,33 Ом
  • Потужність розсіювання 250 Вт
  • Корпус TO220-3 із монтажем THT
  • Захист від електростатичного розряду (версія ESD)
  • Комплект із 5 транзисторів

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 950 В та постійний струм дрена 11 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими вимогами до ізоляції та навантаження. Імпульсний струм може досягати 70 А, що забезпечує надійність при короткочасних пікових навантаженнях.

Ефективність та тепловіддача

Технологія SuperMESH5™ забезпечує низький опір у стані провідності 0,33 Ом, що зменшує втрати енергії та нагрівання. Потужність розсіювання становить 250 Вт, що вимагає належного охолодження, але гарантує стабільну роботу під навантаженням. Напруга на затворі обмежена ±30 В, що відповідає стандартним драйверам керування.

Зручність монтажу та захист

Компонент виконаний у корпусі TO220-3 із виводами для монтажу на поверхню (THT), що спрощує пайку на друковані плати. Версія ESD забезпечує додатковий захист від електростатичного розряду під час обробки та експлуатації. Уніполярний тип каналу (збагачуваний) спрощує схемотехнічне рішення для керування.

Стабільна робота при високих навантаженнях Потужність розсіювання 250 Вт дозволяє транзистору ефективно відводити тепло під час тривалої роботи. Це важливо для силових ланцюгів, де компонент перебуває під постійним навантаженням. Низький опір у стані провідності 0,33 Ом зменшує втрати енергії та нагрівання, підвищуючи загальний ККД пристрою. ## Зручність інтеграції та захист Корпус TO220-3 із монтажем THT забезпечує надійне кріплення та простоту пайки на друковані плати. Версія ESD надає додатковий захист від електростатичного розряду, що зменшує ризик пошкодження під час монтажу та експлуатації. Уніполярний збагачуваний канал спрощує схемотехнічні рішення для керування. Цей комплект транзисторів підходить для інженерів та техніків, які працюють із силовими перетворювачами, джерелами живлення або промисловим обладнанням, де потрібна надійність та висока напруга.

Характеристики
Основні
ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання250 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустима напруга стік-витік950 В
Максимально допустимий струм стоку11 А
Опір у відкритому стані (Rds)330 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Кількість у комплекті5 шт.
КорпусTO220-3
ТехнологіяSuperMESH5™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 030 ₴