Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP19NM50N, 500В, 10А, TO220-3 (5 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM078825
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP19NM50N, 500В, 10А, TO220-3 (5 шт.)В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP19NM50N — це напівпровідниковий прилад з каналом типу N та технологією MDmesh™ II. У комплекті поставляється 5 одиниць у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга дрена-джерела: 500 В
- Струм дрена: 10 А
- Розсіювана потужність: 110 Вт
- Опір у стані провідності: 0,2 Ом
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ II
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 500 В та витримує струм дрена 10 А.
Потужність та опір
Максимальна розсіювана потужність становить 110 Вт, що визначає тепловий режим роботи. Опір у стані провідності дорівнює 0,2 Ом,.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 200 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴