Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18NM80, 800 В, 10,71 А, TO220-3 (3 шт.)
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM078824
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18NM80, 800 В, 10,71 А, TO220-3 (3 шт.)В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18NM80 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 800 В. Комплект складається з 3 елементів у корпусі TO220-3, з виводами для монтажу в отвори (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 800 В
- Струм стоку: 10,71 А
- Потужність розсіювання: 190 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 3 шт.
Електричні параметри та потужність
Транзистор витримує напругу між стоком та витоком 800 В та максимальний струм стоку 10,71 А. Напруга на затворі може становити ±30 В, а опір у відкритому стані дорівнює 0,295 Ом. Потужність розсіювання становить 190 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TO220-3 з виводами для монтажу в отвори (THT). Застосування технології MDmesh™ впливає на характеристики приладу.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 190 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10.71 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 295 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴