Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18NM60N, 600В, 8,2А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18NM60N — це напівпровідниковий прилад типу MDmesh™ II у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 10 одиниць, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Тип транзистора: N-MOSFET з технологією MDmesh™ II
• Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
• Постійний струм дрена: 8,2 А
• Імпульсний струм дрена: 52 А
• Опір у стані провідності: 0,285 Ом
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 8,2 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими вимогами до ізоляції та навантаження.

Ефективність технології MDmesh™ II

Застосування технології MDmesh™ II забезпечує низький опір у стані провідності 0,285 Ом. Такий показник зменшує нагрівання компонента під час роботи та підвищує загальну ефективність пристрою.

Імпульсна потужність

Прилад витримує імпульсний струм дрена до 52 А, що важливо для старту двигунів або роботи з індуктивними навантаженнями. Максимальна розсіювана потужність становить 110 Вт, що потребує відповідного радіатора при високих навантаженнях.

Керування та параметри затвора

Корпус TO220-3 та тип монтажу THT (скрізь отвори) спрощують паяння та заміну компонентів на друкованих платах. Наявність 10 транзисторів у наборі оптимізує процес складання електронних блоків.