Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18N60M2, 650V, 8A, TO220-3 — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP18N60M2 — це напівпровідниковий прилад з технологією MDmesh™ II Plus. Модель забезпечує робочу напругу 650 В та струм 8 А, що робить її надійним рішенням для високовольтних застосувань.

• Напруга дрена-джерела: 650 В
• Струм дрена: 8 А (постійний), 52 А (імпульсний)
• Опір у відкритому стані: 0,28 Ом
• Потужність розсіювання: 110 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Технологія: MDmesh™ II Plus, захист ESD

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В, що дозволяє використовувати його в мережевих пристроях. Максимальний постійний струм дрена становить 8 А, а в імпульсному режимі він може досягати 52 А. Це забезпечує стабільну роботу при різких навантаженнях.

Опір та потужність

Технологія MDmesh™ II Plus знижує опір у відкритому стані до 0,28 Ом, що зменшує втрати енергії та нагрівання. Потужність розсіювання становить 110 Вт, що вимагає належного охолодження. Низький опір каналу сприяє підвищенню ККД пристрою.

Комплектація

Товар поставляється набором із 10 транзисторів, що зручно для серійного виробництва або ремонту. Корпус TO220-3 призначений для виведеного монтажу (THT), що спрощує пайку на друковані плати. Напруга затвор-джерело становить ±25 В.