Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP17N80K5, 800 В, 9 А, TO220-3 (5 шт.)
2 190 ₴
- В наявності
- Код: TM037162
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP17N80K5, 800 В, 9 А, TO220-3 (5 шт.)В наявності
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP17N80K5 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, виконаний у корпусі TO220-3 для монтажу в отвори (THT). Комплект складається з 5 одиниць.
- Напруга дрена-джерела: 800 В
- Постійний струм дрена: 9 А
- Імпульсний струм дрена: 56 А
- Корпус TO220-3 для монтажу в отвори (THT)
- Технологія виробництва: MDmesh™ K5
- Комплектація: 5 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В та постійний струм дрена 9 А. У імпульсному режимі допустимий струм дрена сягає 56 А. Максимальна розсіювана потужність становить 170 Вт, а опір у стані провідності — 0,34 Ом.
Технологія та керування
Компонент виготовлений за технологією MDmesh™ K5. Напруга керування затвором-джерелом становить ±30 В, а сумарний заряд затвора — 26 нКл. Ці характеристики визначають умови роботи транзистора у ключових режимах.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 170 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 340 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ K5 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴