
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP160N3LL, 30В, 112А, TO220-3 (20 шт.)
2 890 ₴
- В наявності
- Код: TM020916
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP160N3LL — це універсальний силовий компонент серії STripFET™ H6. Комплект із 20 штук забезпечує необхідну кількість елементів для серійного виробництва або ремонту обладнання.
- Струм стоку 112 А для потужних силових застосувань
- Піковий струм у імпульсі до 480 А
- Опір у стані провідності всього 4,2 мОм
- Розсіювана потужність 136 Вт
- Корпус TO220-3 з вивідним монтажем (THT)
- Комплект із 20 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Транзистор розрахований на постійний струм стоку 112 А, що дозволяє використовувати його в потужних силових ланцюгах. У імпульсному режимі пристрій витримує піковий струм до 480 А.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 136 Вт. Корпус TO220-3 з монтажем THT (вивідний) забезпечує надійний контакт із платою та простоту пайки.
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 4,2 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Це підвищує загальний ККД пристрою, в якому застосовано транзистор.
Напруга та заряд затвора
Максимальна напруга стік-виток становить 30 В, що визначає робочий клас компонента. Напруга затвор-виток допускає значення ±20 В, а повний заряд затвора дорівнює 42 нКл. Ці параметри важливі для правильного вибору драйвера затвора та розрахунку втрат на керування.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 136 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 112 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.2 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFET™ H6 |
- Ціна: 2 890 ₴
