
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP15NK50Z, 500В, 8.8А, TO220-3 (набір 10 шт.)
3 390 ₴
- В наявності
- Код: TM020915
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP15NK50Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі TO220-3, призначений для комутації в електронних схемах. Комплект складається з 10 одиниць, що забезпечує зручність для серійного монтажу та прототипування.
- Набір із 10 транзисторів для серійного монтажу
- Максимальна напруга дрена-джерела 500 В
- Струм дрена до 8,8 А
- Розсіювана потужність 160 Вт
- Корпус TO220-3 для монтажу в отвори (THT)
- Вбудований захист від електростатичного розряду (ESD)
Висока напруга та струм
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 500 В та витримує струм дрена до 8,8 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими навантаженнями, де потрібна надійна комутація потужних споживачів.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 160 Вт, що вимагає обов'язкового використання радіатора при роботі на високих струмах. Низький опір у стані провідності (0,34 Ом) зменшує нагрівання компонента під час роботи, підвищуючи загальний ККД пристрою.
Технологія SuperMesh™ та захист ESD
Використання технології SuperMesh™ забезпечує оптимальні комутаційні характеристики та низькі втрати. Наявність вбудованого захисту від електростатичного розряду (ESD) спрощує монтаж та експлуатацію, захищаючи чутливу структуру транзистора від випадкових пошкоджень.
Зручний монтаж THT
Компонент виконаний у корпусі TO220-3 для монтажу в отвори (THT). Таке виконання полегшує паяння та забезпечує механічну стійкість на платі, що є важливим для промислового обладнання та побутової техніки.
Транзистор STP15NK50Z є силовим ключем для електронних пристроїв. Набір із 10 штук є вигідним рішенням для майстерень та виробничих ліній.## Стабільна робота при високих навантаженняхТранзистор витримує напругу затвор-джерело до ±30 В, що забезпечує надійне керування від мікроконтролерів та драйверів. Тип каналу — вбудований (wzbogacany), що гарантує стабільне відкривання при подачі керуючого сигналу. Ці параметри важливі для схем, де потрібна чітка комутація без випадкових спрацювань.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 160 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 340 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMesh™ |
- Ціна: 3 390 ₴
