Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP150N10F7, 100В, 110А, TO220-3 (10 шт.)
2 500 ₴
- В наявності
- Код: TM078820
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP150N10F7, 100В, 110А, TO220-3 (10 шт.)В наявності
2 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP150N10F7 — це силовий напівпровідниковий прилад із технологією STripFET™ F7.## Монтаж та корпус
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 110 А (постійний), 440 А (імпульсний)
- Потужність розсіювання: 250 Вт
- Опір у стані провідності: 4,2 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплект: 10 шт.
Потужність та струм
Прилад розрахований на постійний струм дрена 110 А та імпульсний струм до 440 А. Потужність розсіювання становить 250 Вт. Низький опір у стані провідності 4,2 мОм зменшує нагрівання при роботі.
Напруга та керування
Максимальна напруга дрена-джерела становить 100 В. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В. Заряд затвора дорівнює 117 нКл, що впливає на швидкість перемикання.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 110 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.2 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFETTM F7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 500 ₴