Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP14NM50N, 500В, 8А, TO220-3 — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP14NM50N — це напівпровідниковий прилад типу MDmesh™ II, призначений для роботи в електронних схемах із навантаженням до 8 А. Модель у корпусі TO220-3 з монтажем THT забезпечує надійне кріплення та ефективне відведення тепла.

• Тип транзистора: N-MOSFET
• Технологія: MDmesh™ II
• Напруга дрена-джерела: 500 В
• Струм дрена: 8 А
• Опір у стані провідності: 0,32 Ом
• Корпус: TO220-3
• Монтаж: THT
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 500 В та максимальний струм дрена 8 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими параметрами навантаження.

Ефективна технологія MDmesh™ II

Використання технології MDmesh™ II забезпечує низький опір у стані провідності 0,32 Ом. Це зменшує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Низький опір критичний для підвищення ККД пристрою та зменшення потреби у потужному охолодженні.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220-3 з виводами для монтажу через отвір (THT). Такий формат дозволяє легко встановлювати транзистор на друковані плати та радіатори. Корпус TO220-3 є одним із найпоширеніших для силових транзисторів, що спрощує заміну та проектування схем.

Комплект поставки

Товар постачається набором із 10 штук. Це зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання, де потрібно кілька однакових компонентів. Купівля набором економить час на пошук та замовлення окремих деталей. Транзистор є уніполярним з каналом збагаченого типу, що забезпечує стабільну роботу в ключових режимах. Максимальна розсіювана потужність становить 90 Вт, а допустима напруга на затворі — ±25 В.