Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP14NK60ZFP, 600В, 8,5А, TO220FP (набір 10 шт.)
3 320 ₴
- В наявності
- Код: TM037161
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP14NK60ZFP, 600В, 8,5А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
3 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP14NK60ZFP — це уніполярний напівпровідниковий прилад з підвищеним каналом. Модель виконана в корпусі TO220FP та реалізується комплектом із 10 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, з підвищеним каналом
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 8,5 А
- Потужність розсіювання: 40 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: SuperMesh™, версія ESD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 8,5 А. Напруга затвор-джерело становить ±30 В.
Потужність та опір
Потужність розсіювання становить 40 Вт, а опір у стані провідності — 0,5 Ом.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™ та має версію ESD. Монтаж виконується методом THT (скрізний монтаж).
Комплектація та ідентифікація
У пакуванні міститься 10 транзисторів STP14NK60ZFP. Символ виробника: STP14NK60ZFP.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 320 ₴