Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13NM60N, 600 В, 6,93 А, TO220-3 (5 шт.)
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM078817
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13NM60N, 600 В, 6,93 А, TO220-3 (5 шт.)В наявності
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13NM60N — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, виконаний у корпусі TO220-3. Комплект складається з 5 одиниць.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 6,93 А
- Розсіювана потужність: 90 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Технічні параметри
Прилад розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та струм дрена 6,93 А. Максимальна розсіювана потужність становить 90 Вт, а опір у стані провідності — 0,36 Ом. Напруга затвор-джерело обмежена ±25 В.
Технологія та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією MDmesh™ II. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 90 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.93 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 360 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 120 ₴