Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13NK60ZFP, 600В, 8,2А, TO220FP (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів N-MOSFET STMicroelectronics STP13NK60ZFP у корпусі TO220FP. Компоненти призначені для роботи з напругою до 600 В та струмом 8,2 А, що робить їх придатними для силових електронних схем.

• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 8,2 А
• Розсіювана потужність: 35 Вт
• Корпус: TO220FP (ізоляція)
• Монтаж: THT (скрізь отвори)
• Захист ESD та технологія SuperMesh™
• Кількість у наборі: 10 шт.

Технічні характеристики

Транзистори мають канал збагаченого типу та витримують напругу дрена-джерела 600 В. Максимальний струм дрена становить 8,2 А, а розсіювана потужність — 35 Вт. Опір у провідному стані дорівнює 0,55 Ом, що забезпечує ефективну роботу в силових ланцюгах.

Корпус та монтаж

Компоненти виконані у корпусі TO220FP, який забезпечує ізоляцію та зручність кріплення. Монтаж здійснюється методом THT (скрізь отвори), що підходить для класичних друкованих плат. Версія ESD додатково захищає вхід від електростатичних розрядів.

Технологія SuperMesh™

Використання технології SuperMesh™ дозволяє оптимізувати параметри транзистора. Це рішення від STMicroelectronics спрямоване на підвищення ефективності перемикання та зниження втрат у силових пристроях.

Захист від електростатичних розрядів (ESD) та технологія SuperMesh™

У пакуванні міститься 10 транзисторів STP13NK60ZFP. Такий набір зручний для прототипування або серійного виробництва невеликих партій обладнання.