Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13N80K5, 800В, 7,6А, 190Вт, TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13N80K5 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із каналом збагачення, виготовлений за технологією SuperMESH5™. Призначений для роботи в схемах із напругою до 800 В та струмом до 7,6 А, що робить його придатним для застосування в силових електронних схемах. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Максимальний струм стіка: 7,6 А
• Розсіювана потужність: 190 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Технологія: SuperMESH5™
• Комплектація: набір із 10 штук

Висока напруга та потужність

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 800 В. Максимальний струм стіка становить 7,6 А, а розсіювана потужність — 190 Вт. Напруга затвор-витік може досягати ±30 В.

Опір у відкритому стані

Компонент виготовлений за технологією SuperMESH5™. Опір у відкритому стані становить 0,45 Ом. Цей параметр визначає навантаження на транзистор при проходженні струму.

Монтаж та комплектація

Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з виводами для встановлення на плату (THT). Транзистор має версію ESD. Товар постачається набором із 10 штук.