Транзистор STMicroelectronics STP13N60M2, N-MOSFET, 600 В, 7 А, TO220-3 (20 шт.)

Транзистор STMicroelectronics STP13N60M2 — це польовий N-MOSFET з технологією MDmesh™ M2 у корпусі TO220-3. Прилад має максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 7 А. У комплекті поставляється 20 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 7 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 380 мОм
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 600 В, що визначає робочий діапазон навантаження. Струм стоку обмежений значенням 7 А, а імпульсний струм може досягати 44 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 110 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) складає 380 мОм, що впливає на теплові втрати при роботі.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією MDmesh™ M2. Корпус TO220-3 призначений для вставного монтажу на друковану плату. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 25 В.

Комплектація

У наборі міститься 20 транзисторів STP13N60M2.