
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13N60M2, 600В, 7А, TO220-3 (набір 20 шт.)
3 420 ₴
- В наявності
- Код: TM020911
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP13N60M2 — це уніполярний прилад із технологією MDmesh™ M2, призначений для комутації високої напруги. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі TO220-3, що забезпечує зручність для серійного монтажу та ремонтних робіт.
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Постійний струм дрена: 7 А
- Імпульсний струм дрена: 44 А
- Технологія: MDmesh™ M2
- Корпус: TO220-3 (THT монтаж)
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 600 В та постійним струмом дрена 7 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах, де потрібна надійна ізоляція та комутація значних навантажень.
Імпульсна потужність
Прилад витримує імпульсний струм дрена до 44 А, що важливо для пускових режимів або короткочасних пікових навантажень. Така характеристика забезпечує стабільну роботу пристрою під час різких змін споживання енергії.
Ефективне розсіювання тепла та низький опір
Транзистор має потужність розсіювання 110 Вт, що дозволяє ефективно відводити тепло під час роботи. Опір у стані провідності становить 0,38 Ом, що зменшує втрати енергії та нагрівання компонента. Напруга між затвором і витоком обмежена ±25 В, що визначає безпечні межі керування. Заряд затвора 17 нКл впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ M2 |
- Ціна: 3 420 ₴
