Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12N60M2, 600 В, 5,7 А, TO220-3 (набір 10 шт.)
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM078815
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12N60M2, 600 В, 5,7 А, TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12N60M2 — це уніполярний прилад із каналом збагачення, розроблений за технологією MDmesh™ M2. Товар поставляється набором із 10 штук у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT).
- Набір із 10 транзисторів N-MOSFET
- Напруга дрена-джерела 600 В
- Струм дрена 5,7 А (36 А в імпульсі)
- Корпус TO220-3 для монтажу THT
- Технологія MDmesh™ M2
- Розсіювана потужність 85 Вт
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 5,7 А. У імпульсному режимі допустимий струм дрена сягає 36 А. Опір у стані провідності становить 0,45 Ом, а максимальна розсіювана потужність — 85 Вт.
Керування та технологія
Прилад виготовлений за технологією MDmesh™ M2. Заряд затвора дорівнює 16 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±25 В.
Монтаж та комплектація
Транзистори мають корпус TO220-3 та призначені для вивідного монтажу (THT). У комплекті йде 10 однакових транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 85 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ M2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴