Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12N50M2, 500В, 7А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP12N50M2 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення та технологією MDmesh™ M2. Розрахований на роботу при напрузі до 500 В та струмі 7 А. Пакет містить 10 одиниць у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT).

• Напруга стік-витік: 500 В
• Струм стіка: 7 А (імпульсний до 40 А)
• Технологія: MDmesh™ M2
• Корпус: TO220-3 (монтаж THT)
• Опір у відкритому стані: 0,38 Ом
• Розсіювана потужність: 85 Вт
• Кількість у наборі: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 500 В та постійним струмом стіка 7 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 40 А, що дозволяє витримувати короткочасні перевантаження. Опір у відкритому стані становить 0,38 Ом, а максимальна розсіювана потужність — 85 Вт.

Технологія та керування

Використовується технологія MDmesh™ M2. Заряд затвора дорівнює 15 нКл, що впливає на швидкість перемикання. Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±25 В, тому при керуванні слід дотримуватися цього діапазону.

Монтаж та комплектація

Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з виводами для встановлення на плату (THT). У комплекті постачається 10 транзисторів.