Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FD, 600В, 7А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60FD — це силовий напівпровідниковий прилад із технологією FDmesh™. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220-3, що забезпечує зручність для прототипування та серійного монтажу.

• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 7 А
• Потужність розсіювання: 160 Вт
• Опір у відкритому стані: 0,45 Ом
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Комплект: 5 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела до 600 В та постійний струм дрена 7 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних ланцюгах, де потрібна надійна комутація значних навантажень без перегріву.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна потужність розсіювання становить 160 Вт. Такий показник гарантує стабільну роботу пристрою під час тривалих навантажень, особливо при використанні радіаторів охолодження у стандартному корпусі TO220-3.

Технологія FDmesh™ та захист ESD

Використання технології FDmesh™ забезпечує низький опір у відкритому стані (0,45 Ом), що зменшує втрати енергії. Компонент випускається у версії ESD.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент призначений для вивідного монтажу (THT), що спрощує процес пайки на друкованих платах. У комплекті постачається 5 транзисторів, що є оптимальним набором для заміни або початку невеликої серії виробів.