Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60, 600 В, 11 А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NM60 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220-3 для монтажу на друковану плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Струм стоку: 11 А (імпульсний до 44 А)
• Потужність розсіювання: 160 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Комплектація: 5 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга між стоком та витоком становить 600 В. Номінальний струм стоку дорівнює 11 А, а імпульсний струм може досягати 44 А. Потужність розсіювання — 160 Вт, що вимагає забезпечення належного відведення тепла.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220-3. Тип монтажу THT (through-hole technology) означає, що виводи транзистора проходять крізь отвори в платі та паяються з протилежного боку.

Керування та опір

Напруга на затворі відносно витоку може змінюватися в межах ±30 В. Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 0,45 Ом, що визначає втрати потужності при відкритому транзисторі. Загальний заряд затвора — 30 нКл, що впливає на швидкість перемикання.