Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NK50Z, 500В, 6,3А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NK50Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 500 В. Модель виготовлена за технологією SuperMesh™ у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT) та поставляється набором із 10 штук.

• Напруга дрена-джерела 500 В для силових застосувань
• Струм дрена 6,3 А та потужність розсіювання 125 Вт
• Технологія SuperMesh™
• Вбудований захист від електростатичного розряду (ESD)
• Корпус TO220-3 для монтажу на плату (THT)
• Набір із 10 транзисторів

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 500 В та струм дрена 6,3 А, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах середньої потужності. Максимальна розсіювана потужність становить 125 Вт, що забезпечує стабільну роботу при значних навантаженнях. Опір у стані провідності дорівнює 0,52 Ом.

Технологія SuperMesh™ та захист ESD

Модель виготовлена за технологією SuperMesh™. Версія ESD вбудованого захисту від електростатичного розряду підвищує надійність транзистора при монтажі та експлуатації.

Зручний монтаж та комплектація

Корпус TO220-3 та тип монтажу THT (скрізь отвори) гарантують надійне кріплення на друкованій платі та простоту паяння. Пакетна поставка з 10 транзисторів.