Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11N65M2, 650V, 4.4A, TO220-3, набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11N65M2 — це напівпровідниковий прилад з каналом типу N та технологією MDmesh™ M2. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO220-3 для монтажу в отвори (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET
• Технологія: MDmesh™ M2
• Максимальна напруга стік-виток: 650 В
• Струм стоку: 4,4 А (постійний), 28 А (імпульсний)
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Кількість у наборі: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком та витоком 650 В. Постійний струм стоку становить 4,4 А, а імпульсний струм може досягати 28 А. Опір у відкритому стані дорівнює 0,68 Ом.

Конструктивні особливості

Прилад виготовлений за технологією MDmesh™ M2. Заряд затвора становить 12,5 нКл. Максимальна розсіювана потужність — 85 Вт. Напруга між затвором та витоком обмежена ±25 В.

Монтаж та комплектація

Корпус TO220-3 призначений для вивідного монтажу (THT). У комплекті постачається 10 транзисторів. Транзистор є уніполярним.