Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7, 100В, 76А, 150Вт (набір 10 шт.)
2 460 ₴
- В наявності
- Код: TM078810
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7, 100В, 76А, 150Вт (набір 10 шт.)В наявності
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP110N10F7 — це уніполярний прилад технології STripFET™ F7 у корпусі TO220-3 для монтажу в отвори (THT). Комплект складається з 10 одиниць.
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 76 А
- Потужність розсіювання: 150 Вт
- Корпус TO220-3 для монтажу в отвори (THT)
- Технологія STripFET™ F7
- Комплект: 10 транзисторів
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, а максимально допустимий струм стоку — 76 А. Потужність розсіювання — 150 Вт.
Корпус та монтаж
Корпус: TO220-3. Тип монтажу: THT (through-hole technology, монтаж в отвори).
Технологія
STripFET™ F7.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 76 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFETTM F7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 460 ₴