Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NM60N, 600В, 5А, TO220-3 (набір 10 шт.)
3 250 ₴
- В наявності
- Код: TM037160
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NM60N, 600В, 5А, TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
3 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NM60N — це уніполярний прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 5 А. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT).
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 5 А (імпульсний до 32 А)
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ II
- Комплектація: 10 шт.
Технічні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 600 В та постійним струмом дрена 5 А. Імпульсний струм дрена становить 32 А. Опір у стані провідності становить 0,55 Ом, а розсіювана потужність — 70 Вт.
Технологія та монтаж
Прилад виготовлений за технологією MDmesh™ II. Монтаж здійснюється методом THT (скрізний монтаж) у корпусі TO220-3. Напруга між затвором та витоком обмежена значенням ±25 В, а заряд затвора дорівнює 19 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 550 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 250 ₴