Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK80Z, 800В, 6А, TO220-3, набір 5 шт.
2 160 ₴
- В наявності
- Код: TM037159
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK80Z, 800В, 6А, TO220-3, набір 5 шт.В наявності
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 5 транзисторів N-MOSFET STP10NK80Z від STMicroelectronics у корпусі TO220-3. Компоненти призначені для роботи з напругою до 800 В та струмом до 6 А, мають захист від електростатичного розряду (ESD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 800 В
- Струм стоку: 6 А
- Потужність розсіювання: 160 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Захист ESD та технологія SuperMesh™
- Кількість у наборі: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та стоком становить 800 В, а допустимий струм стоку — 6 А. Потужність розсіювання становить 160 Вт.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™, що впливає на його характеристики. Монтаж виконується методом THT (скрізний монтаж) у корпусі TO220-3. Наявність версії ESD забезпечує захист від електростатичного розряду під час експлуатації.
Комплектація
У комплекті постачається 5 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 160 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 900 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 160 ₴