Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10N95K5, 950В, 5А, TO220-3, SuperMESH5™ (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10N95K5 — це уніполярний прилад із технологією SuperMESH5™, розрахований на високу напругу 950 В та струм 5 А. Комплект із 10 штук у корпусі TO220-3 зручний для серійного монтажу та прототипування силових схем.

• Висока напруга дрена-джерела 950 В для силових схем
• Струм дрена 5 А та потужність розсіювання 130 Вт
• Технологія SuperMESH5™ для ефективної роботи
• Корпус TO220-3 з монтажем через отвори (THT)
• Вбудований захист від електростатичного розряду (ESD)
• Комплект із 10 транзисторів для серійного монтажу

Висока напруга та надійність

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 950 В, що дозволяє використовувати його у високовольтних імпульсних джерелах живлення та інверторах. Стійкість до напруги затвор-джерело ±30 В забезпечує стабільну роботу керуючих ланцюгів. Технологія SuperMESH5™ оптимізує баланс між опором у відкритому стані та швидкістю перемикання.

Ефективне відведення тепла

Потужність розсіювання 130 Вт дозволяє транзистору витримувати значення навантаження без перегріву за умови належного охолодження. Корпус TO220-3 з монтажем THT (через отвори) забезпечує надійний контакт із друкованою платою та радіатором. Це важливо для стабільної роботи пристроїв у промислових умовах.

Захист від електростатичного розряду

Версія ESD вбудованого захисту захищає затвор від електростатичних розрядів під час монтажу та експлуатації. Це зменшує ризик пошкодження компонента на етапах складання та обслуговування обладнання. Додатковий захист підвищує загальну надійність кінцевого виробу.

Оптимальний опір у відкритому стані

Опір у відкритому стані становить 0,8 Ом, що визначає рівень теплових втрат при проходженні струму. Цей параметр є критичним для розрахунку ефективності силових ключів та вибору системи охолодження. Низький опір дозволяє зменшити нагрівання компонента під час роботи у відкритому режимі.