Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10N80K5, 800В, 6А, TO220-3 — набір 10 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10N80K5 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розроблений за технологією MDmesh™ K5. Він призначений для роботи в електричних колах із напругою до 800 В та струмом до 6 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Технологія виготовлення: MDmesh™ K5
• Максимальна напруга стік-виток: 800 В
• Постійний струм стоку: 6 А (імпульсний до 36 А)
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Комплектація: 10 шт.

Технічні характеристики

Прилад має максимальну напругу між стоком та витоком 800 В і постійний струм стоку 6 А. У імпульсному режимі струм може досягати 36 А, а розсіювана потужність становить 130 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,6 Ом.

Корпус та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі TO220-3. Монтаж виконується методом виводів у отвори друкованої плати (THT). Напруга на затворі обмежена значенням ±30 В, а заряд затвора становить 22 нКл.

Комплектація

Товар поставляється набором із 10 транзисторів.