Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP105N3LL, 30В, 105А, TO220-3 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP105N3LL — це силовий напівпровідниковий прилад із каналом збагачення, розроблений на технології STripFET™ H6. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі TO220-3 для монтажу в отвори (THT).

• Струм стоку: 105 А
• Імпульсний струм: 320 А
• Напруга стік-джерело: 30 В
• Опір у відкритому стані: 4,5 мОм
• Розсіювана потужність: 140 Вт
• Корпус: TO220-3 (THT)
• Комплект: 20 шт.

Потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 105 А та імпульсний струм до 320 А. Максимальна розсіювана потужність становить 140 Вт.

Електричні параметри

Напруга стік-джерело (VDS) дорівнює 30 В, а напруга затвор-джерело (VGS) — ±20 В. Опір у відкритому стані (RDS(on)) становить 4,5 мОм. Загальний заряд затвора (Qg) — 42 нКл.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі TO220-3 з виводами для встановлення в отвори друкованої плати (THT). Транзистор є уніполярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany).