Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP100NF04, 40В, 120А, TO220-3 (10 шт.)

Набір із 10 транзисторів STMicroelectronics STP100NF04 типу N-MOSFET із технологією STripFET™ II. Компоненти призначені для силових електронних схем, що потребують високої струмової навантаженості та низького опору в відкритому стані.

• Струм стоку до 120 А для потужних навантажень
• Розсіювана потужність 300 Вт
• Низький опір у відкритому стані 4,6 мОм
• Напруга стік-витік 40 В
• Корпус TO220-3 для монтажу THT
• Технологія STripFET™ II від STMicroelectronics
• Набір із 10 транзисторів

Висока потужність та струм

Транзистори STP100NF04 розраховані на максимальний струм стоку 120 А та розсіювання потужності до 300 Вт. Це дозволяє використовувати їх у потужних інверторах, джерелах живлення та двигунах, де потрібна стабільна робота під великим навантаженням.

Низький опір та ефективність

Опір у стані провідності становить 4,6 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Низький опір є критичним для підвищення ККД пристроїв та зменшення потреби у громіздкому охолодженні.

Зручний монтаж та надійність

Компоненти виконані у корпусі TO220-3 з виводами для монтажу на друкованій платі (THT). Такий формат забезпечує простоту пайки та механічну міцність з'єднання, що важливо для промислового обладнання та DIY-проектів.

Управління та керування затвором (Gate-Source Voltage) ±20 В Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В, що визначає допустимі режими керування транзистором у схемах. Це важливо для правильного вибору драйвера затвора та забезпечення надійного відкривання та закривання MOSFET без ризику пошкодження ізолятора затвора. ## Комплектація

У комплекті поставляється 10 транзисторів STP100NF04, що зручно для серійного виробництва або ремонту кількох пристроїв одночасно.