Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP100N10F7, 100В, 70А, TO220-3 — набір 10 шт.
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM037157
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP100N10F7, 100В, 70А, TO220-3 — набір 10 шт.В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP100N10F7 — це напівпровідниковий прилад з технологією STripFET™ F7. Модель має напругу 100 В та струм 70 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом, що збагачується
- Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
- Постійний струм дрена: 70 А
- Розсіювана потужність: 150 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- У комплекті: 10 шт.
Технічні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 70 А. У імпульсному режимі струм може досягати 320 А, а максимальна розсіювана потужність становить 150 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 8 мОм.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у корпусі TO220-3. Монтаж здійснюється методом встановлення в отвори (THT).
Комплектація
Товар поставляється набором із 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 70 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFETTM F7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴