Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN4NF03L, 30V, 4.5A, SOT223, ESD — набір 30 шт.
2 400 ₴
- В наявності
- Код: TM078806
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN4NF03L, 30V, 4.5A, SOT223, ESD — набір 30 шт.В наявності
2 400 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN4NF03L — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель виконана в корпусі SOT223 для поверхневого монтажу (SMD) та має захист від електростатичного розряду (ESD).
- Струм дрена 4,5 А
- Напруга дрена-джерела 30 В
- Опір у стані провідності 60 мОм
- Корпус SOT223 для SMD монтажу
- Захист ESD
- Набір із 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 30 В та струм дрена 4,5 А. Потужність розсіювання становить 3,3 Вт, а опір у стані провідності — 60 мОм. Напруга затвор-джерело допускає значення ±16 В.
Технологія та корпус
Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™, що впливає на його ключові характеристики. Корпус SOT223 дозволяє використовувати стандартні методи поверхневого монтажу. Наявність версії ESD підвищує стійкість до електростатичних розрядів під час обробки та експлуатації.
Комплектація
Товар постачається набором із 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 400 ₴