Транзистор STMicroelectronics STN3P6F6 P-MOSFET, SOT223, -60В, -2А (набір 20 шт.)
2 380 ₴
- В наявності
- Код: TM078805
Транзистор STMicroelectronics STN3P6F6 P-MOSFET, SOT223, -60В, -2А (набір 20 шт.)В наявності
2 380 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-MOSFET транзистор STMicroelectronics STN3P6F6 у корпусі SOT223 для монтажу на поверхню (SMD). Це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для комутації струму до -2 А при напрузі -60 В.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Напруга стік-витік: -60 В
- Струм стіка: -2 А
- Розсіювана потужність: 2,6 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,16 Ом
- Захист ESD та технологія SuperMesh™
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до -60 В та витримує струм стіка -2 А. Опір у відкритому стані становить 0,16 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 2,6 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В.
Технологія та захист
Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™. Версія ESD передбачає вбудований захист від електростатичного розряду.
Комплектація
Товар постачається набором із 20 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 160 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 380 ₴