Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN3NF06, 60В, 4А, SOT223, набір 30 шт.
2 130 ₴
- В наявності
- Код: TM078804
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN3NF06, 60В, 4А, SOT223, набір 30 шт.В наявності
2 130 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 30 транзисторів N-MOSFET STN3NF06 від STMicroelectronics у корпусі SOT223. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) та роботи з напругою до 60 В і струмом до 4 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Технологія: STripFET™ II
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Максимальна напруга стік-виток: 60 В
- Максимальний струм стік: 4 А
- Розсіювана потужність: 3,3 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,1 Ом
- Кількість у наборі: 30 шт.
Технічні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET із збагачуваним каналом, виготовленим за технологією STripFET™ II. Максимальна напруга між витоком і стоком становить 60 В, а максимальний струм стоку — 4 А. Опір у відкритому стані дорівнює 0,1 Ом. Максимальна розсіювана потужність — 3,3 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT223. Монтаж здійснюється методом поверхневого монтажу (SMD). Максимальна напруга між затвором і витоком становить ±20 В.
Комплектація
У пакуванні міститься 30 однакових транзисторів STN3NF06.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | STripFET™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 130 ₴