Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN1NK80Z, 800В, 160мА, SOT223, ESD (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN1NK80Z — це уніполярний компонент із захистом від електростатичного розряду (ESD), призначений для роботи в ланцюгах із напругою до 800 В. Комплект із 20 штук у корпусі SOT223 зручний для масового монтажу та прототипування електронних пристроїв.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, з каналом, що збагачується
• Напруга дрена-джерела: 800 В
• Струм дрена: 160 мА (0,16 А)
• Потужність розсіювання: 2,5 Вт
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Захист ESD та технологія SuperMesh™
• Комплект: 20 штук

Висока напруга та надійність

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В. Максимальний струм дрена становить 160 мА, а потужність розсіювання — 2,5 Вт. Версія ESD забезпечує додатковий захист входу від електростатичних розрядів, що підвищує надійність пристрою під час експлуатації.

Компактний корпус SMD

Монтаж у корпусі SOT223 реалізується технологією поверхневого монтажу (SMD), що економить місце на друкованій платі та спрощує автоматизований монтаж. Використання технології SuperMesh™ сприяє оптимізації характеристик транзистора. Опір у стані провідності становить 16 Ом, що є важливим параметром для розрахунку тепловтрат у ланцюзі.

Зручний комплект для виробництва

Набір із 20 транзисторів зручний для прототипування та заміни компонентів у електронних пристроях. Така кількість дозволяє виконати кілька монтажів або замінити вийшли з ладу елементи без закупівлі великих партій.