Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STL50DN6F7, 60В, 57А, комплект 20 шт.
3 270 ₴
- В наявності
- Код: TM037121
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STL50DN6F7, 60В, 57А, комплект 20 шт.В наявності
3 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 20 транзисторів N-MOSFET від STMicroelectronics, модель STL50DN6F7. Це подвійні польові транзистори з каналом збагачення, розраховані на напругу 60 В та струм 57 А.
- Струм дренажу 57 А
- Напруга дренаж-виток 60 В
- Опір у стані провідності 11 мОм
- Корпус PowerFLAT 5x6 для SMD монтажу
- Комплект із 20 транзисторів
Електричні параметри
Транзистори мають максимальну напругу дренаж-виток 60 В та постійний струм дренажу 57 А. У імпульсному режимі струм може досягати 228 А. Опір у стані провідності становить 11 мОм.
Монтаж та корпус
Компоненти виконані у корпусі PowerFLAT 5x6 для поверхневого монтажу (SMD). Поляризація транзисторів — уніполярна, тип каналу — збагачуваний.
Комплектація
У пакеті постачається 20 транзисторів. Транзистори мають розсіювану потужність 62,5 Вт та заряд затвора 17 нКл. Максимальна напруга затвор-виток становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 62.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 57 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 11 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PowerFLAT 5x6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 270 ₴