Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STI18N65M2, 650В, 12А, I2PAK — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STI18N65M2 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 650 В. Комплект із 20 штук у корпусі I2PAK забезпечує зручність для серійного монтажу та ремонту електронних пристроїв.

• Напруга дрена-джерела 650 В
• Струм дрена 12 А (імпульсний 48 А)
• Розсіювана потужність 110 Вт
• Корпус I2PAK, монтаж THT
• Комплект із 20 транзисторів
• Опір у стані провідності 0,33 Ом

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 12 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими вимогами до ізоляції та навантаження. Імпульсний струм може досягати 48 А, що важливо для старту потужних споживачів.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 110 Вт. Такий показник дозволяє компоненту витримувати значні теплові навантаження без перегріву, особливо при використанні радіаторів. Опір у стані провідності 0,33 Ом сприяє зменшенню втрат енергії.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент виконаний у корпусі I2PAK із виводами для вивідного монтажу (THT). Таке рішення полегшує паяння та забезпечує надійний контакт із друкованою платою. У комплекті постачається 20 транзисторів, що вигідно для майстерень та виробничих ліній.

Керування та параметри затвора

Напруга затвор-джерело становить ±25 В, що дозволяє керувати транзистором у широкому діапазоні напруг. Заряд затвора 20 нКл забезпечує швидке перемикання станів. Це робить транзистор придатним для імпульсних джерел живлення та інверторів.## Тип транзистора та каналТранзистор є N-MOSFET з уніполярною структурою та каналом збагачення. Така конфігурація забезпечує надійне відкривання при подачі додатної напруги на затвор. Це стандартне рішення для багатьох схем керування потужністю.