Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWT40H65DFB, 650В, 40А, TO3P (5 шт.)

Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWT40H65DFB — це напівпровідниковий прилад у корпусі TO3P для монтажу на плату. Комплект складається з 5 елементів із номінальною напругою 650 В та струмом колектора 40 А.

• Тип транзистора: IGBT
• Напруга колектор-емітер: 650 В
• Струм колектора: 40 А
• Розсіювана потужність: 283 Вт
• Корпус: TO3P, монтаж THT
• Комплектація: 5 шт.

Електричні характеристики

IGBT-транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 650 В та постійний струм колектора 40 А. У імпульсному режимі прилад витримує струм до 160 А. Максимальна розсіювана потужність становить 283 Вт, що визначає тепловий режим роботи.

Конструкція та монтаж

Транзистор має вбудований антипаралельний діод. Напруга на затворі обмежена ±20 В, а заряд затвора дорівнює 0,21 мкКл. Монтаж виконується виводами в отвори плати (THT) у корпусі TO3P.