Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4, 650В, 71А, TO247-4 (3 шт.)
2 020 ₴
- В наявності
- Код: TM078722
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4, 650В, 71А, TO247-4 (3 шт.)В наявності
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 у корпусі TO247-4. Комплект складається з 3 одиниць із номінальною напругою 650 В та струмом колектора 71 А.
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Струм колектора: 71 А (225 А в імпульсі)
- Розсіювана потужність: 357 Вт
- Корпус: TO247-4, монтаж THT
- Інтегрований антипаралельний діод
- Заряд затвора: 207 нКл
- Комплект: 3 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 650 В та постійний струм колектора 71 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 225 А. Максимальна розсіювана потужність становить 357 Вт.
Особливості конструкції
Корпус TO247-4 призначений для монтажу в отвори (THT). Інтегрована антипаралельна діодна структура та вивід Кельвіна. Напруга затвор-емітер обмежена ±30 В, а заряд затвора дорівнює 207 нКл.
Комплектація
У пакеті постачається 3 транзистори STGW75H65DFB2-4.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 357 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 225 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 020 ₴