Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP30M65DF2, 650В, 30А, TO220AB (набір 10 шт.)
2 900 ₴
- В наявності
- Код: TM020827
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP30M65DF2, 650В, 30А, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGP30M65DF2 у корпусі TO220AB. Комплект складається з 10 одиниць.
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Постійний струм колектора: 30 А
- Імпульсний струм: до 120 А
- Розсіювана потужність: 258 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Інтегрований антипаралельний діод
- Комплект: 10 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор працює з напругою колектор-емітер до 650 В та постійним струмом колектора 30 А.
Імпульсна потужність
Прилад витримує імпульсний струм колектора до 120 А. Максимальна розсіювана потужність становить 258 Вт.
Вбудований діод та монтаж
Компонент має інтегрований антипаралельний діод. Монтаж виконується методом THT у корпусі TO220AB.
Керування та заряд
Напруга керування затвором становить ±20 В, а заряд затвора — 80 нКл.
Комплектація
У набір входить 10 транзисторів STGP30M65DF2.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 258 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 120 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 900 ₴