Транзистор IGBT STMicroelectronics STGE200NB60S, 600 В, 150 А, корпус ISOTOP

IGBT модуль STMicroelectronics STGE200NB60S — це напівпровідниковий прилад у корпусі ISOTOP з номінальним струмом колектора 150 А та максимальною напругою 600 В.

• Максимальна напруга 600 В
• Струм колектора 150 А
• Імпульсний струм 400 А
• Розсіювана потужність 600 Вт
• Корпус ISOTOP
• Тип модуля: IGBT

Електричні параметри

Модуль розрахований на максимальну зворотну напругу 0,6 кВ (600 В) та постійний струм колектора 150 А. У імпульсному режимі пристрій витримує струм до 400 А. Напруга між затвором та емітером становить ±20 В.

Конструкція та монтаж

Пристрій має структуру одиночного транзистора та розсіює потужність до 600 Вт. Механічне та електричне кріплення виконане за допомогою прикручування.