Транзистор IGBT STMicroelectronics STGB19NC60HDT4, 600В, 19А, D2PAK (набір 10 шт.)
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM078707
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGB19NC60HDT4, 600В, 19А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGB19NC60HDT4 у корпусі D2PAK для SMD-монтажу. Пристрій розрахований на напругу колектор-емітер 600 В та постійний струм колектора 19 А, що робить його придатним для силових електронних схем.
- Тип транзистора: IGBT
- Напруга колектор-емітер: 600 В
- Струм колектора: 19 А (імпульсний до 60 А)
- Розсіювана потужність: 130 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Наявність вбудованого антипаралельного діода
- Набір: 10 шт.
Напруга та струм
Транзистор працює з напругою колектор-емітер 600 В та витримує імпульсний струм колектора до 60 А. Максимальна розсіювана потужність становить 130 Вт, а допустима напруга між затвором та емітером — ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі D2PAK, призначеному для поверхневого монтажу (SMD). Компонент має вбудований антипаралельний діод.
Заряд затвора та комплектація
Заряд затвора становить 53 нКл. Товар постачається набором із 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 130 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 60 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴